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    公司以6英寸體硅工藝為主,可實現多種工藝的加工服務:

    光刻:接近式光刻(可雙面)和步進光刻,最小線寬1um

    薄膜制備:氧化、LPCVD、TEOS、PECVD

    金屬制備:E-beam、磁控濺射

    濕法腐蝕:KOH、 BOE/HF等

    干法刻蝕:RIE、DRIE(深寬比達到40)

    鍵合:硅硅、硅-玻璃、金屬共晶、金屬熱壓等多種鍵合

    壓電材料制備:AlN

    結構釋放:氣態HF刻蝕、XeF2刻蝕

    減?。簷C械減薄、CMP

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